导读：随着三星加快 7nm EUV 工艺量产，台积电领先了一年的 7nm 先进工艺今年会迎来激烈竞争，IBM、NVIDIA 以及高通都要加入三星的 7nm EUV 阵营了。
在先进工艺路线图上，台积电的 7nm 去年量产，7nm EUV 工艺今年量产，海思麒麟 985、苹果 A13 处理器 ......
随着三星加快 7nm EUV 工艺量产，台积电领先了一年的 7nm 先进工艺今年会迎来激烈竞争，IBM、NVIDIA 以及高通都要加入三星的 7nm EUV 阵营了。
在先进工艺路线图上，台积电的 7nm 去年量产，7nm EUV 工艺今年量产，海思麒麟 985、苹果 A13 处理器会是首批用户，明年则会进入 5nm 节点，2021 年则会进入 3nm 节点，最终在 2022 年规模量产 3nm 工艺。
台积电从去年就开始启动 3nm 晶圆厂的建设工作，由于晶圆厂对水力、电力资源要求很高，初期的环评工作很严格，今天台湾环保部门公布了台积电 3nm 晶圆厂的专案初审，通过了新竹科学园区有过宝山用地的申请，这意味着台积电的 3nm 晶圆厂最终落地在新竹园区。
根据台积电之前的资料，整个 3nm 晶圆厂预计会在 2020 年正式动工建设，耗资超过 4000 亿新台币，折合 879 亿人民币或者 130 亿美元。
由于摩尔定律逐渐到了物理极限，3nm 被认为是最后的一代硅基半导体工艺，因为 1nm 节点会遭遇严重的干扰。为了解决这个问题，三星宣布在 3nm 节点使用 GAA 环绕栅极晶体管工艺，通过使用纳米片设备制造出了 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代 FinFET 晶体管技术。
与三星相比，台积电并没有公布过 3nm 工艺的具体技术细节，预计也会改用全新结构的晶体管工艺，只不过目前尚无明确消息。
