导读：作者：苏亚，来源：TechWeb
【TechWeb】近日，日本针对韩国氟聚酰亚胺、光刻胶等三种原材料实施管制，重点针对韩国的半导体、面板等电子产业。这对韩国半导体产业产生了巨大影响，目前已缩减 NANDFlash 投片，减产幅度逾二成。
内存业者分析，三 ......
作者：苏亚，来源：TechWeb
【TechWeb】近日，日本针对韩国氟聚酰亚胺、光刻胶等三种原材料实施管制，重点针对韩国的半导体、面板等电子产业。这对韩国半导体产业产生了巨大影响，目前已缩减 NANDFlash 投片，减产幅度逾二成。
内存业者分析，三星全球 NAND 市占逾三成，此次缩减逾二成产出，等于全球将减少逾6% 至8% 供应量，加上东芝 NAND 工厂上月受强震影响产能估达3%，合计本月起，全球 NAND 产出将减少近一成，且美光也宣布本季减产五成 NAND 芯片，预料在库存快速消化及未来供给大幅缩减下，NAND 芯片恐出现缺货，价格也将结束长达二年多的跌势。
内存业者透露，三星先前在东芝工厂因强震停工后，已调涨 NAND 售价约一成，此次三星大幅减产，将造成强大的 NAND 抢货潮，带动价格进一步强弹。若日韩贸易谈判再僵持，下季 DRAM 合约价也将止跌反弹，出现 NAND 与 DRAM 两大内存 双涨 效应。
内存通路商透露，三星内部的因应计划是将既有的光阻剂和氟化氢等耗材库存，优先支应还有不错获利的 DRAM 产品，并缩减接近成本边缘的 NAND 芯片生产，减产幅度达二到三成，顺势消化 NAND 库存并使报价提升。
