导读：12 月 3 日消息根据 AnandTech 的报道，长鑫存储科技有限公司已经开始使用 19 纳米制造技术生产 DDR4 内存。目前，该公司已经制定了至少两个 10 纳米级制造工艺的路线图，并计划在未来生产所有类型的 DRAM。不仅如此，长鑫存储还计划再建两个晶圆 ......
12 月 3 日消息根据 AnandTech 的报道，长鑫存储科技有限公司已经开始使用 19 纳米制造技术生产 DDR4 内存。目前，该公司已经制定了至少两个 10 纳米级制造工艺的路线图，并计划在未来生产所有类型的 DRAM。不仅如此，长鑫存储还计划再建两个晶圆厂来提高产量。
长鑫存储表示，其 77% 员工都是从事研发相关工作的工程师。今年 5 月，长鑫存储董事长兼 CEO 朱一明曾表示，从技术来源角度，合肥长鑫与奇梦达合作，并结合了长鑫自己的技术。通过与奇梦达合作，将一千多万份有关 DRAM 的技术文件（约 2.8TB 数据）收归囊中。现如今已经完成了早期积累。
根据之前的报道，长鑫存储诞生于 2016 年，专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的研发、生产和销售，目前已建成第一座 12 英寸晶圆厂。
